Cietvielu fizikas institūts / Institute of Solid State Physics
Permanent URI for this community
LU aģentūra-zinātniskais institūts / Agency of the University of Latvia
Browse
Browsing Cietvielu fizikas institūts / Institute of Solid State Physics by Issue Date
Now showing 1 - 20 of 448
Results Per Page
Sort Options
- ItemРоль туннелирования в процессах накопления радиационных дефектов и в теории диффузионно-контролируемых реакций(1975) Котомин, Евгений Алексеевич; Латвийский государственный университет им. П. Стучки
- ItemЭлектрооптические свойства и особенности фазовых переходов в сегнетокерамиках цирконата-титана свинца, модифицированного лантаном и скандата-ниобата свинца(1978) Штернберг, Андрис Романович; Фрицберг, Волдемар; Латвийский государственный университет им. П. Стучки. Научно-исследовательский институт физики твёрдого тела
- ItemФоторефракция, аномальный фотовольтаический эффект и механизм электропроводности в сегнетокерамике цирконата-титаната свинца, модифицированного лантаном(1979) Димза, Вилнис; Латвийский государственный университет им. П. Стучки. Научно-исследовательский институт физики твердого тела
- ItemДиэлектрические свойства сегнетоэлектрических твердых растворов со структурой перовскита в условиях высокого гидростатического давления(1980) Фрицберг, Павел Александрович; Латвийский государственный университет им. П. Стучки. Научно-исследовательский институт физики твёрдого тела
- ItemИсследование собственных дефектов и их роли в электронных процессах в стеклообразном и кристаллическом кремнеземе(1980) Скуя, Линардс Николаевич
- ItemСинтез и оптические свойства монокристаллических слоев окислов щелочноземельных металлов(1980) Лацис, Ивар Эдгарович; Валбис, Я. А.; Латвийский государственный университет им. П. Стучки. Научно-исследовательский институт физики твердого тела
- ItemТуннельная люминесценция Na2O 3SiO2 стекол(1980) Кангро, Андрис Рудольфович; Витол, Илмар; Латвийский государственный университет им. П. Стучки
- ItemПрирода центров окраски и механизм их образования в триоксиде вольфрама(1983) Клеперис, Янис Янович; Латвийский государственный университет им. П. Стучки. Научно-исследовательский институт физики твердого тела
- ItemЭлектрохромизм и локализация носителей заряда в триоксиде вольфрама(1985) Цикмач, Петр Донатович; Латвийский государственный университет им. П. Стучки. Научно-исследовательский институт физики твердого тела
- ItemЭлектрокалорический эффект в сегнетоэлектриках со структурой перовскита(1986) Биркс, Эрик Хариевич; Шебанов, Леонид Анатольевич; Латвийский государственный университет им. П. Стучки. Научно-исследовательский институт физики твердого тела
- ItemТеория контролируемых туннельной перезарядкой процессов накопления и рекомбинации радиационных дефектов в ионных кристаллах(1987) Котомин, Евгений Алексеевич; Латвийский государственный университет им. П. Стучки. Научно-исследовательский институт физики твердого тела
- ItemMetodika un aparatūra 14C aktivitātes noteikšanai mazaktīvos paraugos(1999) Kristiņš, Alberts; Latvijas Universitāte. Cietvielu fizikas institūtsDarbu kopsavilkums fizikas doktora grāda iegūšanai
- ItemRadiācijas defektu pētījumi ar EPR metodi LiBaF3 kristālā(2004) Ogorodņiks, Vadims; Latvijas Universitāte.Cietvielu fizikas institūtsIzpētīts ar rentgenu istabas temperatūrā apstarotā L i B a F 3 kristālā radīta defekta EPR spektrs. EPR spektrs sastāv no apmēram 35 ekvidistantām līnijām. Defekts ir nestabils Jienas gaismā, bet tumsā sabrūk dažu stundu laikā. Šīs līnijas magnētiskā lauka orientācijā mralēli [111] kristāla asij atrodas vienādos attālumos (ar soli 0,9 mT) ar intensitāšu sadalījumu tuvu binomiālajam. EPR spektru var aprakstīt kā nesapārota spina S = 1/2 hiper- >īkstruktūras (liss) mijiedarbību ar divām ekvivalentu kaimiņu kodolu spinu grupām: 2 Li kodoliem pirmajā grupā un 8 F kodoliem otrajā grupā. Šāds modelis atbilst F-tipa centram elektrons atrodas fluora vakancē) LiBaF3 kristālā. Līniju intensitāšu stipro leņķisko itkarību nosaka g-tenzors ar tā galveno asi virzītu [100] virzienā. Darbā analizētas hss līniju leņķiskās atkarības un iespējamie g-tenzora parametri. Conclusion: Our present analysis corroborates the model of F-type centres in L i B a F 3 . However, a slight perturbation in the third and/or farther co-ordination spheres, which are not of significant influence for hf lines, should not b e excluded. Finally, in the present work we have analysed, qualitatively and quantitatively, the angular dependence of EPR line intensity of the F-type centre in L i B a F 3 crystal, based on the set of hf- and g-tensor parameters obtained. However, the code used by us did not allow the spectra to be calculated for all possible magnetic field orientations. To do this, a more complicated code is needed. Further investigations are a l so necessary in order to find out correlation with the optical properties of F-type centres.
- ItemAbstracts of the 28th Scientific Conference (February 8-10, 2012, Riga)(LU Cietvielu fizikas institūts, 2012) University of Latvia. Institute of Solid State Physics
- ItemQuantitative optical analysis of filler dispersion degree in MWCNT – epoxy nanocomposite(Elsevier, 2012) Glaskova, Tatjana; Zarrelli, Mauro; Aniskevich, Andrey; Giordano, Michele; Trinkler, Laima; Berzina, Baiba
- ItemInfluence of uniaxial pressure on dielectric properties of (1-x)Na0.5Bi0.5TiO3–xSrTiO3 for x = 0.01, 0.04, and 0.1 ceramics(Estonian Academy Publishers, 2017) Czaja, Piotr; Suchanicz, Jan; Kluczewska, Kamila; Sitko, Dorota; Dutkiewicz, Erazm Maria; Konieczny, Krzysztof; Węgrzyn, Adrian; Antonova, Maija; Sternberg, AndrisThe conventional solid-state sintering was applied to synthesized (1-x)Na0.5Bi0.5TiO3-xSrTiO3 (x = 0.01, 0.04, and 0.1) ceramics. Dielectric measurements of these ceramics were taken in the temperature range from 20 to 600 °C, in the frequency range from 1 kHz to 2 MHz and under uniaxial pressure ranging from 10 to 1100 bar. The study of the dielectric behaviour showed that the influence of uniaxial pressure on the investigated properties was considerable. The peaks εm gradually decreased and shifted towards lower temperatures with an increase of uniaxial pressure for all samples. The first effect developed with an increase of the strontium ion concentration. Experimental results revealed most interesting properties of the material in the context of its potential applications.
- ItemElectric relaxation and Mn3+/Mn4+ charge transfer in Fe-doped Bi12MnO20–BiMn2O5 structural self-composite(Springer New York LLC, 2017) Leonarska, A.; Kadziołka-Gaweł, M.; Szeremeta, A. Z.; Bujakiewicz-Koronska, R.; Molak, A.; Kalvane, AnnaFe-doped Bi12MnO20–BiMn2O5 ceramics was sintered at 1130 K for 6 h in ambient air. Two centro-symmetric phases formed thermodynamically stable self-composite material that was deduced from X-ray pattern analysis. The lattice parameters were a = 10.147(8) Å—for the cubic I23 Bi12MnO20 phase; and a = 7.545(4) Å, b = 8.538(1) Å, c = 5.758(3) Å—for the orthorhombic Pbam BiMn2O5 phase. The 57Fe Mössbauer spectrum, recorded at room temperature, has shown pure electronic quadrupolar split. The major doublets reflected the occurrence of Fe3+ ions distributed in two sites, i.e., octahedral Fe4+O6 and square pyramidal Fe3+O5, with preferential occupation of the pyramidal sites, that was consistent with the Pbam phase symmetry. The third doublet resulted from the presence of iron Fe3+ in tetrahedral Fe3+O4 coordination and corresponded to a small admixture of the I23 phase. The DC resistivity ρDC(T) dependence on temperature has shown thermally activated features, and the value of Ea,DC varied in the range of 0.22–0.37 eV. The electric impedance was measured in the f = 20 Hz–1 MHz and 100–690 K range. Two electrical relaxations were determined using the electric modulus formalism M″(T). Low-temperature relaxation has shown the temperature-dependent activation energy EA,1 = 0.14–0.20 eV and characteristic time values of τ01 = 10−10–10−12 s in 100–200 K range. It was attributed to the charge transfer between Mn4+/Mn3+ sites. The other relaxation occurred in the 170–220 K range, and it exhibited the following values: τ02 = 10−11 s, and EA,2 = 0.27 eV. A disorder-related VRH polaron model was proposed for ρDC(T) and for electric relaxation processes.
- ItemEffect of Mg2+ ions co-doping on luminescence and defects formation processes in Gd3(Ga,Al)5O12:Ce single crystals(Elsevier B.V., 2017) Babin, V.; Boháček, Pavel; Grigorjeva, Larisa; Kucera, Miroslav; Nikl, M.; Zazubovich, S.; Zolotarjovs, AleksejsPhoto- and radioluminescence and thermally stimulated luminescence characteristics of Ce³⁺ - doped and Ce³⁺, Mg²⁺ co-doped Gd3(Ga,Al)5O12 (GAGG) single crystals of similar composition are investigated in the 9–500 K temperature range. The Ce³⁺ - related luminescence spectra and the photoluminescence decay kinetics in these crystals are found to be similar. Under photoexcitation in the Ce³⁺ - and Gd³⁺ - related absorption bands, no prominent rise of the photoluminescence intensity in time is observed neither in GAGG:Ce,Mg nor in GAGG:Ce crystals. The afterglow is strongly reduced in GAGG:Ce,Mg as compared to GAGG:Ce, and the afterglow decay kinetics is much faster. Co-doping with Mg²⁺ results in a drastic decrease of the thermally stimulated luminescence (TSL) intensity in the whole investigated temperature range and in the appearance of a new complex Mg²⁺ - related TSL glow curve peak around 285 K. After irradiation in the Ce³⁺ - related 3.6 eV absorption band, the TSL intensity in GAGG:Ce,Mg is found to be comparable with that in the GAGG:Ce epitaxial film of similar composition. The Mg²⁺ - induced changes in the concentration, origin and structure of the crystal lattice defects and their influence on the scintillation characteristics of GAGG:Ce,Mg are discussed.