Sb2S3 nanovadu fotoelektriskās īpašības

Simple item page
dc.contributor.advisorAndžāne, Janaen_US
dc.contributor.authorKiseļovs, Aleksandrsen_US
dc.contributor.otherLatvijas Universitāte. Fizikas un matemātikas fakultāteen_US
dc.date.accessioned2015-07-05T01:09:41Z
dc.date.available2015-07-05T01:09:41Z
dc.date.issued2015en_US
dc.description.abstractPerspektīvā nanovadus varēs izmantot sensoros, slēdžos, saules baterijās un citās optoelektriskajās ierīcēs, ņemot vērā to lielo virsmas un tilpuma attiecību. Pateicoties šai attiecībai, fizikālās īpašības nanoizmēros ir izteiktākas nekā makroskopiskos izmēros. Līdz šim nebija iespējams iegūt informāciju par Sb2S3 nanovadu fotoelektriskajām īpašībām. Darbā tika pētītas Sb2S3 nanovadu fotoelektriskās īpašības atkarībā no ierosinātās gaismas viļņu garuma, uzņemot I-V un fotostrāvas raksturlīknes. Darbā tika pētīta Sb2S3 nanovadu piemērotība dažādu optoelektrisko ierīču izstrādē. Anodētā alumīnija oksīda (AAO) matricā iekapsulēto nanovadu masīvu īpašības tika salīdzinātas ar individuālo nanovadu īpašībām. Eksperimentā tika konstatēts, ka individuālam Sb2S3 nanovadam fotostrāvas pieaugums (1,77•10-10 A) ir lielāks nekā vienam nanovadam AAO matricā (5,36•10-17 A). Tika secināts, ka AAO matricā notiek procesi, kas kavē fotoinducēto lādiņnesēju kustību.en_US
dc.description.abstractPerspective uses of nanowires are in sensors, switches, photovoltaic cells and other optoelectronic devices, due to high surface-to-volume ratio, taking into account this ratio, physical properties in nano-dimensions are more explicit than those in macro-dimensions. Not many studies have been conducted on the photoelectrical properties of Sb2S3 nanowires. This paper analyses photoelectrical properties of Sb2S3 taking into account the wavelength of light. Furthermore performance curves for I-V and photocurrent were generated in this paper. Properties of nanowires encapsulated in anodic aluminium oxide and those of individual nanowire were compared. It was concluded in the experiment that photocurrent increase of individual Sb2S3 nanowire (1,77•10-10 A) is higher than photocurrent of a single nanowire in AAO template (5,36•10-17 A). It was concluded that processes are taking place in the AAO template, which hinder the movement of photo-induced charge carriers.en_US
dc.identifier.other48474en_US
dc.identifier.urihttps://dspace.lu.lv/dspace/handle/7/28863
dc.language.isoN/Aen_US
dc.publisherLatvijas Universitāteen_US
dc.rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccessen_US
dc.subjectFizikaen_US
dc.subjectSb2S3en_US
dc.subjectnanovadien_US
dc.subjectfotovadāmībaen_US
dc.subjectAAOen_US
dc.titleSb2S3 nanovadu fotoelektriskās īpašībasen_US
dc.title.alternativePhotoelectrical properties of Sb2S3 nanotubesen_US
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesisen_US
Files
Collections
Bakalaura un maģistra darbi (FMOF) / Bachelor's and Master's theses